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UBS "삼성전자, 내년 SK하이닉스 제치고 HBM 시장 1위"

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한경닷컴 뉴스룸

간단 요약

  • UBS는 내년 HBM 시장에서 삼성전자가 점유율 41%SK하이닉스(39%)를 제치고 1위를 차지할 것이라고 밝혔다.
  • UBS는 삼성전자가 업계 최초 HBM4 양산 및 생산능력 대폭 확대를 통해 HBM 시장 선두로 치고 올라왔다고 전했다.
  • UBS는 글로벌 D램 비트 수요 증가율이 올해 22%에서 내년 36%로, 낸드플래시 수요 증가율이 20%에서 23%로 상승할 것으로 내다봤다고 밝혔다.

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서울 서초동 삼성전자 본사의 모습. 사진=김범준 한국경제신문 기자
서울 서초동 삼성전자 본사의 모습. 사진=김범준 한국경제신문 기자

내년 고대역폭메모리(HBM) 시장의 왕좌가 SK하이닉스에서 삼성전자로 넘어갈 것이라는 전망이 나왔다.

투자은행 UBS는 30일(현지시간) 발간한 보고서에서 "SK하이닉스가 올해 HBM 비트 출하량 기준 점유율 48%로 1위를 유지하겠지만 내년에는 삼성전자가 41%를 차지하며 SK하이닉스(39%)를 근소하게 앞지를 것"이라고 밝혔다. 3위 마이크론의 점유율은 20%로 예상했다.

삼성전자가 6세대인 HBM4부터 선두로 치고 올라오며 격차를 벌린 결과다. 삼성전자는 올해 2월 업계 최초로 HBM4 양산 제품을 출하한 데 이어 생산능력을 대폭 확대하며 SK하이닉스를 빠르게 추격했다.

다만 시장 1위 역전이 SK하이닉스의 성장 둔화를 의미하는 것은 아니라고 선을 그었다. UBS는 글로벌 D램 비트 수요 증가율이 올해 22%에서 내년 36%로 급증하고, 낸드플래시 수요 증가율 역시 같은 기간 20%에서 23%로 상승할 것으로 내다봤다.

김채연 기자 why29@hankyung.com

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