SK하이닉스, HBM 이을 차세대 메모리 표준 공개

SK하이닉스가 샌디스크와 손잡고 낸드플래시 기반 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF·사진)의 첫 표준 규격을 공개하며 시장 선점에 나섰다. 인공지능(AI) 추론 확산에 따라 급증하는 대용량 데이터 처리 수요를 겨냥해 HBF를 필두로 차세대 AI 메모리 시장의 주도권을 강화하겠다는 구상이다.

SK하이닉스는 4일 미국 캘리포니아 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스 'FMS 2026'에서 샌디스크와 공동 개발한 차세대 저장 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 공개했다. 지난해 8월 샌디스크와 협력을 시작한 SK하이닉스는 올해 2월 구글, 텐스토렌트 등이 참여하는 HBF 컨소시엄을 출범시켰다. 이번 표준 규격 공개는 컨소시엄 출범 후 6개월 만이다.

HBF는 D램 기반의 고대역폭메모리(HBM)처럼 낸드를 수직으로 쌓아 올린 AI 가속기용 메모리다. 동일 면적당 D램보다 훨씬 많은 데이터를 담을 수 있어 AI 추론 및 에이전틱 AI 확산에 따라 급증하는 대용량 데이터 처리 요구를 충족할 차세대 기술로 꼽힌다. 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 낸드 특성상 전력 효율이 높고, D램 대비 합리적인 가격에 대용량을 구현할 수 있다.

이번에 공개된 HBF 표준 규격은 낸드 다이를 8단 또는 16단으로 쌓아 최대 512기가바이트(GB) 용량을 제공하도록 했다. 대역폭은 1~3등급으로 나눠 초당 0.4테라바이트(TB)에서 3.0TB까지 구현할 수 있다. 프로세서 연결 방식으로는 업계 표준인 UCIe를 채택해 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU) 등 다양한 반도체에 유연하게 적용할 수 있도록 했다.

SK하이닉스는 이번 FMS 2026에서 D램 기반 HBM과 낸드 기반 HBF를 하나의 체계로 연결해 최적화하는 계층형 메모리 기반 차세대 아키텍처를 새로운 방향성으로 제시했다. 이와 함께 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품도 최초로 공개했다. 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 것이 특징으로 데이터센터 환경에 최적화됐다. 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 양산에 들어갈 예정이다.

김채연 기자 why29@hankyung.com